Epitaxially Self‐Assembled Alkane Layers for Graphene Electronics

2016 · Advanced Materials

저자

Young‐Jun Yu, Gwan‐Hyoung Lee, Ji Il Choi, Yoon Su Shim, 이철호 (Chul‐Ho Lee), Seok Ju Kang, Sunwoo Lee, Kwang Taeg Rim, G. W. Flynn, James Hone, Yong‐Hoon Kim, Philip Kim, Colin P. Nuckolls, Seokhoon Ahn

연구주제

Graphene research and applications · 2D Materials and Applications

NTIS 과학기술표준분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

가장 가까운 분류(재료 > 고분자재료 > 나노소재기술)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.

AI 연구 키워드·방법

charged impurity 그래핀 self assembled alkane layer

multiscale simulation

키워드 (OpenAlex)

graphene epitaxial growth drop casting charge impurities SiO2 substrate graphene electronics

초록

The epitaxially grown alkane layers on graphene are prepared by a simple drop-casting method and greatly reduce the environmentally driven doping and charge impurities in graphene. Multiscale simulation studies show that this enhancement of charge homogeneity in graphene originates from the lifting of graphene from the SiO2 surface toward the well-ordered and rigid alkane self-assembled layers.

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

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