An in-plane WSe 2 p–n homojunction two-dimensional diode by laser-induced doping
2020 · Journal of Materials Chemistry C
저자
Sujeong Yang, Geonyeop Lee, Janghyuk Kim, Janghyuk Kim, Seunghoon Yang, 이철호 (Chul‐Ho Lee), Jihyun Kim, Jihyun Kim
연구주제
2D Materials and Applications · Graphene research and applications · Transition Metal Oxide Nanomaterials
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 > 화합물소자)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.
AI 연구 키워드·방법
laser induced doping p n homojunction 이셀레늄화텅스텐(WSe2)
키워드 (OpenAlex)
WSe2 p-n homojunction laser-induced doping transition metal dichalcogenides p-type doping
초록
Laser-treatment was used to take p-doping effects on WSe 2 locally, which induce in-plane WSe 2 p–n homojunction.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2020 | 방사선 조사를 통한 hexagonal boron nitride 초박막의 물성제어 연구 | 교육부 | 개인기초연구(교육부)(R&D) | 고려대학교 | 범위 밖 |
| 2020 | PFC 가스 대체용 Fluoro-ether 및 Fluoro-alcohol 계열 Precursor를 이용한 식각공정 기술 개발 | 산업통상자원부 | 에너지수요관리핵심기술개발(에특)(R&D) | 아주대학교산학협력단 | 에너지/자원 > 온실가스 처리에너지 외 |
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