SNUEI

Enhanced Photoluminescence of Multiple Two-Dimensional van der Waals Heterostructures Fabricated by Layer-by-Layer Oxidation of MoS 2

2020 · ACS Applied Materials & Interfaces

저자

Sojung Kang, Yoon Seok Kim, Jae Hwan Jeong, Junyoung Kwon, Jong Hun Kim, Yeonjoon Jung, Jong Chan Kim, Bumho Kim, Sang Hyun Bae, Pinshane Y. Huang, James Hone, Hu Young Jeong, Jin‐Woo Park, 이철호 (Chul‐Ho Lee), Gwan‐Hyoung Lee

연구주제

2D Materials and Applications · Graphene research and applications · Transition Metal Oxide Nanomaterials

NTIS 과학기술표준분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

가장 가까운 분류(물리학 > 응집 물질 물리 > 반도체)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.

AI 연구 키워드·방법

layer by layer oxidation 이황화몰리브덴(MoS2) photoluminescence enhancement 반데르발스 이종구조

키워드 (OpenAlex)

van der Waals heterostructures MoS2 molybdenum oxide layer-by-layer oxidation oxygen plasma oxidation photoluminescence enhancement transition metal dichalcogenides interlayer decoupling

초록

Monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) are promising for optoelectronics because of their high optical quantum yield and strong light-matter interaction. In particular, the van der Waals (vdW) heterostructures consisting of monolayer TMDs sandwiched by large gap hexagonal boron nitride have shown great potential for novel optoelectronic devices. However, a complicated stacking process limits scalability and practical applications. Furthermore, even though lots of efforts, such as fabrication of vdW heterointerfaces, modification of the surface, and structural phase transition, have been devoted to preserve or modulate the properties of TMDs, high environmental sensitivity and damage-prone characteristics of TMDs make it difficult to achieve a controllable technique for surface/interface engineering. Here, we demonstrate a novel way to fabricate multiple two-dimensional (2D) vd…

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

연도과제부처사업수행기관NTIS 분류(1순위)
2021인간-중심 미래선도소재 인력양성 사업단교육부4단계두뇌한국21사업(R&D)연세대학–
2021레이저-소재 상호작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발과학기술정보통신부미래소재디스커버리지원(R&D)한국과학기술원범위 밖
2021반데르발스 물질 연구센터과학기술정보통신부집단연구지원(R&D)연세대학범위 밖
2021페르미 준위 탈고정화를 이용한 쇼트키 게이트 기반 초저전력, 고성능 원자층 반도체 전자소자 개발과학기술정보통신부개인기초연구(과기정통부)(R&D)고려대학범위 밖

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