전기화학 메모리(ECRAM) electrochemical random-access memory
키워드 · 정보·전자소자
2연구단 논문
2교수
0억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
0.00%서울대 비중
이온 삽입·추출로 채널 전도도를 아날로그로 바꾸는 뉴로모픽용 3단자 메모리 소자다.
연도별 연구단 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 1건 · 10년 0억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 0.00%. 매칭: 영문 키워드 'electrochemical random access memory', 국문 'ECRAM', '전기화학 메모리'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 100%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2024 | 우수한 열적 안정성을 가진 2차원 물질 기반의 전기화학적 랜덤 엑세스 메모리에 관한 연구 | 한양대학 | 교육부 | 0.1 |
교수
| 교수 | 학과 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 이윤석 | 기계공학부 | 2 | 1 |
| 임종우 | 화학부 | 1 | 1 |
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에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | SNUEI 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2022 | Vertical Metal‐Oxide Electrochemical Memory for High‐Density Synaptic Array Based High‐Performance Neuromorphic Computing Advanced Electronic Materials | 임종우, 이윤석 | 29 |
| 2021 | Elucidating Ionic Programming Dynamics of Metal‐Oxide Electrochemical Memory for Neuromorphic Computing Advanced Electronic Materials | 이윤석 | 49 |
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