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강유전체 전계효과 트랜지스터(FeFET) ferroelectric field-effect transistor

키워드 · 정보·전자소자

2연구단 논문
2교수
101억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
39.40%서울대 비중

게이트 절연막에 강유전체를 써서 분극 방향으로 정보를 저장하는 트랜지스터다

연도별 연구단 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 37건 · 10년 101억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 39.40%. 매칭: 영문 키워드 'ferroelectric field effect transistor', 국문 '강유전체트랜지스터', 'FeFET'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체 소자·회로 41% · 뇌과학 > 뇌공학 37% · 전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 22% · 전기/전자 > 반도체소자/시스템 1%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2022수직 적층 인공지능 플랫폼을 위한 신소자 기반 초고집적 적층형 시냅스 어레이 및 CMOS 집적회로서울대학과학기술정보통신부13.5
2024CMOS 공정호환 강유전체 트랜지스터 기반 초고효율 3D Vertical 컴퓨팅-인-메모리 집적 플랫폼 개발포항공과대학과학기술정보통신부8.6
2022다양한 강유전체 메모리를 활용한 PIM 소자, 구동회로 및 아키텍쳐 개발한양대학과학기술정보통신부7.8
2024이종집적 Si Photonics LiDAR를 위한 뉴로모픽 시스템 공동연구(재)대구경북과학기술원과학기술정보통신부3.5
2023채널 적층형 FeFET 기반 2F2 단일 트랜지스터 디램 셀서강대학과학기술정보통신부2.0
2022스트레스 엔지니어링을 통한 강유전체 기반 통합 소자 구현기술 연구울산과학기술원과학기술정보통신부1.4
2022단결정형 HfO2 기반 강유전 박막을 이용한 비휘발 FET 단위소자 개발서울대학과학기술정보통신부1.2
2022(반)강유전 비휘발 FET 소자 물리 모델개발 통한 회로 및 시스템 아키텍쳐 설계건국대학과학기술정보통신부1.2

교수

교수학과논문2022년 이후
황윤정화학부10
이철호전기정보공학부11

함께 나오는 키워드

비휘발성 메모리 이황화몰리브덴(MoS2)

연결되는 NTIS 분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

없음

논문 (최신순)

연도논문SNUEI 저자피인용
2026Interface-Engineered Hafnia–MoS2 Ferroelectric Field-Effect Transistors Enabling a Nearly Ideal Memory Window with Back-End-of-Line Compatibility
ACS Nano
이철호0
2014Experimental demonstration of a ferroelectric FET using paper substrate
IEICE Electronics Express
황윤정6

인접 그래프

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논문 2

Experimental demonstration of a ferroelectric FET using paper substrat · Interface-Engineered Hafnia–MoS2 Ferroelectric Field-Effect Transistor