Experimental demonstration of a ferroelectric FET using paper substrate

2014 · IEICE Electronics Express

저자

Changhwan Shin, Gwang-Geun Lee, Dae Hee Han, Seung-Pil Han, Eisuke Tokumitsu, Shun-ichiro Ohmi, Dong‐Joo Kim, Hiroshi Ishiwara, Minseo Park, Seung‐Hyun Kim, Wan‐Gyu Lee, 황윤정 (Yun Jeong Hwang), Byung-Eun Park

연구주제

Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Dielectric materials and actuators · Organic Electronics and Photovoltaics

NTIS 과학기술표준분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.

AI 연구 키워드·방법

강유전체 전계효과 트랜지스터(FeFET) 비휘발성 메모리 paper substrate electronics

키워드 (OpenAlex)

ferroelectric field-effect transistors cellulose paper substrate P(VDF-TrFE) poly(3-hexylthiophene) non-volatile memory threshold voltage window on/off current ratio solution-based fabrication

초록

A ferroelectric field-effect transistor on a cellulose paper for nonvolatile memory application is fabricated by a low-cost solution-based-only fabrication process. A ferroelectric material, poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)), is used to obtain a wide threshold voltage (VTH) window of ∼20 V for the transistor on paper. An on/off current ratio of ∼102 is also obtained with a semiconducting channel material, Poly(3-hexylthiophene) (P3HT).

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

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