육방정 질화붕소 봉지 hexagonal boron nitride encapsulation
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4연구단 논문
1교수
0억 국가 R&D(2015–24)
–증가율
–%서울대 비중
2차원 반도체 소자를 육방정 질화붕소(hBN) 층으로 감싸 오염과 열화를 막는 기술이다
연도별 연구단 논문
국가 R&D 과제 동향
NTIS 과제명·키워드에서 대응하는 과제를 찾지 못했다.
교수
| 교수 | 학과 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 이철호 | 전기정보공학부 | 4 | 2 |
함께 나오는 키워드
이황화몰리브덴(MoS2) 반데르발스 이종구조 전자 이동도 전계효과 트랜지스터(FET)
연결되는 NTIS 분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
없음
논문 (최신순)
| 연도 | 논문 | SNUEI 저자 | 피인용 |
|---|---|---|---|
| 2023 | Laser‐Induced Phase Transition and Patterning of hBN‐Encapsulated MoTe 2 Small | 이철호 | 45 |
| 2022 | Irreversible Conductive Filament Contacts for Passivated van der Waals Heterostructure Devices Advanced Functional Materials | 이철호 | 5 |
| 2015 | Multi-terminal transport measurements of MoS2 using a van der Waals heterostructure device platform Nature Nanotechnology | 이철호 | 1,356 |
| 2015 | Highly Stable, Dual-Gated MoS2Transistors Encapsulated by Hexagonal Boron Nitride with Gate-Controllable Contact, Resistance, and Threshold Voltage ACS Nano | 이철호 | 440 |
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교수 1
논문 4
Multi-terminal transport measurements of MoS2 using a van der Waals he · Highly Stable, Dual-Gated MoS2Transistors Encapsulated by Hexagonal Bo · Irreversible Conductive Filament Contacts for Passivated van der Waals · Laser‐Induced Phase Transition and Patterning of hBN‐Encapsulated MoTe