전계효과 트랜지스터(FET) field-effect transistor
키워드 · 정보·전자소자
게이트 전압으로 채널의 전도도를 조절해 전류를 제어하는 트랜지스터다
하위 키워드
이 키워드를 포함하는 더 구체적인 키워드. 위 논문 수·교수·연도별 그래프는 이들을 합친 값이다.
유기 전계효과 트랜지스터(OFET) 3 강유전체 전계효과 트랜지스터(FeFET) 2
연도별 연구단 논문
국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)
2015–2024 과제 레코드 525건 · 10년 919억 · 2015–19 대비 2020–24 +136% · 대학 수행 64.6% · 서울대(본교) 2.08%. 매칭: 영문 키워드 'field effect transistor', 국문 '전계효과트랜지스터'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.
매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 32% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 15% · 물리학 > 응집 물질 물리 6% · 전기/전자 > 반도체소자/시스템 6%
최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)
| 연도 | 과제 | 수행기관 | 부처 | 억 |
|---|---|---|---|---|
| 2022 | 2.5 kV급 고효율 초소형 산화갈륨 전력반도체 소자 기술 개발 | 한국전자통신연구원 | 과학기술정보통신부 | 13.2 |
| 2022 | high-κ 절연체 터널장벽을 활용한 초저전력 2D-3D 전이금속 디켈코게나이드 초저전력 TFET와 로직 회로의 개발 | 한국과학기술원 | 과학기술정보통신부 | 13.0 |
| 2022 | 초저전압 신소자 연구 지원을 위한 6인치 팹 연계 집적 플랫폼 개발 | 울산과학기술원 | 과학기술정보통신부 | 12.4 |
| 2023 | 2D 반데르발스 물질 기반 다채널 GAA-FET 향 소재/공정/소자 기술 개발 | 성균관대학 | 과학기술정보통신부 | 10.1 |
| 2023 | Full Clip Package를 적용한 대전력 고효율 SiC MOSFET 개발 | (주)아이큐랩 | 산업통상자원부 | 10.0 |
| 2023 | 대구경 GaN-on-Si 기반 650V급 전력소자 및 Power GaN IC 기술개발 | (주)시지트로닉스 | 산업통상자원부 | 9.4 |
| 2022 | 우주용 고 신뢰성 Power MOSFET 개발 | (주)아이큐랩 | 과학기술정보통신부 | 8.0 |
| 2022 | 저온 합성된 반데르발스 층상 소재 기반의 대면적 단일 3차원 집적 트랜지스터 및 적외선 센서 개발 | 포항공과대학 | 과학기술정보통신부 | 8.0 |
교수
| 교수 | 학과 | 논문 | 2022년 이후 |
|---|---|---|---|
| 이철호 | 전기정보공학부 | 12 | 5 |
| 황윤정 | 화학부 | 1 | 0 |
| 곽효원 | 농림생물자원학부 | 1 | 0 |
| 손창윤 | 화학부 | 1 | 1 |
| 남기태 | 재료공학부 | 1 | 1 |
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없음
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