Thickness-dependent Schottky barrier height of MoS 2 field-effect transistors
2017 · Nanoscale
저자
Junyoung Kwon, Jong‐Young Lee, Young‐Jun Yu, 이철호 (Chul‐Ho Lee), Xu Cui, James Hone, Gwan‐Hyoung Lee
연구주제
2D Materials and Applications · Graphene research and applications
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 > 화합물소자)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.
AI 연구 키워드·방법
contact resistance 전계효과 트랜지스터(FET) 이황화몰리브덴(MoS2) 쇼트키 장벽
키워드 (OpenAlex)
MoS2 Schottky barrier height field-effect transistors transition metal dichalcogenides two-dimensional semiconductors contact resistance layer thickness dependence metal contacts
초록
2D semiconductors, including transition metal dichalcogenides (TMDs), have been widely studied recently. However, the device performance is deteriorated due to the significant contact resistance. The contact resistance of MoS2-metal contacts decreases with the thickness of MoS2. We obtained a Schottky barrier height as low as about 70 meV when MoS2 is trilayer-thick. It is important to find the optimal choice of contact metal and layer thickness of MoS2.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
인접 그래프
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