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쇼트키 장벽 schottky barrier

키워드 · 정보·전자소자

4연구단 논문
2교수
331억 국가 R&D(2015–24)
+16%증가율
0.06%서울대 비중

금속과 반도체 접합에서 형성되는 에너지 장벽으로 전하 주입과 정류 특성을 결정한다.

연도별 연구단 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 143건 · 10년 331억 · 2015–19 대비 2020–24 +16% · 대학 수행 30.5% · 서울대(본교) 0.06%. 매칭: 영문 키워드 'schottky barrier', 국문 '쇼트키'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 27% · 전기/전자 > 반도체소자/시스템 22% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 12% · 재료 > 기타 재료 10%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
20222.5 kV급 고효율 초소형 산화갈륨 전력반도체 소자 기술 개발한국전자통신연구원과학기술정보통신부13.2
2023우주급 Diode 부품 개발(재)한국항공우주연구원과학기술정보통신부9.0
20222.5kV급 수직형, 수평형 전력반도체 소자용 4인치 대구경 산화갈륨 에피 성장 상용화 기술한국세라믹기술원과학기술정보통신부5.9
2022금속 촉매-반도체 지지체 간의 Schottky Barrier 제어를 통한 전기화학적 산화/환원 반응 선택성 조절포항공과대학과학기술정보통신부4.1
20234인치급 산화갈륨 MOCVD chamber 및 양산형 에피 공정 기술 개발(주)케이원솔루션과학기술정보통신부2.5
2022산업용 인버터 및 EV/HEV용 Module Co-Pak.을 위한 1200V급 Trench형 SiC 전력반도체 소자 개발(주)쎄미하우중소벤처기업부2.4
20232차원소재 페르미전위고정 극복을 통한 CMOS 공정개발성균관대학과학기술정보통신부1.9
2022페르미 준위 탈고정화를 이용한 쇼트키 게이트 기반 초저전력, 고성능 원자층 반도체 전자소자 개발고려대학과학기술정보통신부1.8

교수

교수학과논문2022년 이후
이철호전기정보공학부30
남기태재료공학부10

함께 나오는 키워드

이황화몰리브덴(MoS2) 2차원 반도체 망간 산화물 나노입자 산소 발생 반응(OER) 전계효과 트랜지스터(FET)

연결되는 NTIS 분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

없음

논문 (최신순)

연도논문SNUEI 저자피인용
2021The Schottky–Mott Rule Expanded for Two-Dimensional Semiconductors: Influence of Substrate Dielectric Screening
ACS Nano
이철호85
2020Monolithic Interface Contact Engineering to Boost Optoelectronic Performances of 2D Semiconductor Photovoltaic Heterojunctions
Nano Letters
이철호48
2019Importance of Interfacial Band Structure between the Substrate and Mn3O4 Nanocatalysts during Electrochemical Water Oxidation
ACS Catalysis
남기태31
2017Thickness-dependent Schottky barrier height of MoS 2 field-effect transistors
Nanoscale
이철호144

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