SNUEI

게이트 절연막 gate dielectric

키워드 · 정보·전자소자

2연구단 논문
2교수
110억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
9.89%서울대 비중

트랜지스터 게이트 전극과 채널 사이에서 전기장을 전달하고 전류를 차단하는 절연층이다

연도별 연구단 논문

14151617181920212223242526

국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

15161718192021222324

2015–2024 과제 레코드 31건 · 10년 110억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 41.1% · 서울대(본교) 9.89%. 매칭: 영문 키워드 'gate dielectric', 국문 '게이트절연막', '게이트유전체'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 에너지/자원 > 온실가스 처리 34% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 19% · 재료 > 열/표면처리 14% · 전기/전자 > 디스플레이 11%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2024디스플레이 TFT 게이트 절연막 형성을 위한 화학 기상 증착 챔버 세정 공정용 GWP 150 이하의 대체가스 및 공정기술 개발(주)에프알디산업통상자원부21.5
2024최선단 반도체 공정용 초고순도 프리커서 정제 기술 개발(주)한솔케미칼산업통상자원부12.4
2022반데르발스 접근법을 이용한 초미세 MOSFETs용 초고유전체 및 반도체 계면제어 연구충남대학과학기술정보통신부5.0
20223nm 이하급 공정기술 구현을 위한 고유전율 게이트 절연막 저저항 소스 드레인 신규 채널 소재와 신규 소자구조 연구연세대학산업통상자원부1.5

교수

교수학과논문2022년 이후
곽효원농림생물자원학부10
이철호전기정보공학부11

함께 나오는 키워드

유기 전계효과 트랜지스터(OFET) 실크 피브로인 전계효과 트랜지스터(FET) 2차원 반도체

연결되는 NTIS 분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

없음

논문 (최신순)

연도논문SNUEI 저자피인용
2025Gate stack engineering of two-dimensional transistors
Nature Electronics
이철호31
2018Understanding hydroscopic properties of silk fibroin and its use as a gate-dielectric in organic field-effect transistors
Organic Electronics
곽효원34

인접 그래프

노드 hover = 이웃 강조 · 1회 클릭 = 고정 · 고정된 노드 다시 클릭 = 페이지 이동

이 문서와 연결된 페이지

논문 2

Understanding hydroscopic properties of silk fibroin and its use as a · Gate stack engineering of two-dimensional transistors