SNUEI

고유전율 절연막(high-k) high-k dielectric

키워드 · 정보·전자소자

4연구단 논문
2교수
181억 국가 R&D(2015–24)
신규증가율
5.68%서울대 비중

유전율이 높아 얇은 두께로도 누설 전류를 줄일 수 있는 게이트 절연 소재다

연도별 연구단 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 103건 · 10년 181억 · 2015–19 대비 2020–24 신규 · 대학 수행 44.0% · 서울대(본교) 5.68%. 매칭: 영문 키워드 'high k dielectric', 국문 '고유전율'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 31% · 전기/전자 > 전기전자부품 11% · 미디어/커뮤니케이션/문헌정보 > 기타 미디어/커뮤니케이션/문헌정보 11% · 기계 > 측정표준/시험평가기술 10%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2024전장용 MLCC 대응 희토류 대체 유전체 조성 및 제조 기술개발(주)미코산업통상자원부6.9
2024고용량 초박형 capacitor 제조를 위한 다원계 고유전율 유전체 및 전극 박막 공정 기술 개발(주)넥서스비산업통상자원부4.9
202210nm향 반도체 소자용 ALD 소재 및 부품 국산화 연구 지원단연세대학산업통상자원부4.3
20241nm 급 Logic 및 sub-10nm 급 DRAM 향 초고성능 MIM 구조를 위한 ALD precursor 개발에스케이트리켐(주)산업통상자원부4.0
2023고주파용 친환경 유연 안테나 개발을 위한 고유전율·저유전손실 (High-Dk·Low-Df) 접착 신소재 및 패턴 전사 공정 기술 개발(주)아이씨에이치중소벤처기업부3.8
2022항동결, 항건조, 다기능 고전도성 연성재료 개발과 극한환경 적용가능 유연 디바이스 구현전남대학과학기술정보통신부2.0
20223nm 이하급 공정기술 구현을 위한 고유전율 게이트 절연막 저저항 소스 드레인 신규 채널 소재와 신규 소자구조 연구연세대학산업통상자원부1.5
2023높은 이동도의 페롭스카이트 산화물 반도체를 이용한 이종접합체 연구서울대학과학기술정보통신부1.5

교수

교수학과논문2022년 이후
이철호전기정보공학부32
손창윤화학부11

함께 나오는 키워드

전계효과 트랜지스터(FET) 리간드 교환 층상 적층 조립(LbL) 이황화몰리브덴(MoS2) 2차원 반도체

연결되는 NTIS 분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

없음

논문 (최신순)

연도논문SNUEI 저자피인용
2025Advances and challenges in 2D semiconductor devices for monolithic 3D integration
2D Materials
이철호9
2024All-Solution-Processed High-Performance MoS2 Thin-Film Transistors with a Quasi-2D Perovskite Oxide Dielectric
ACS Nano
이철호33
2024Molecular Engineering of Coordination Ligand for Multifunctional Sol–Gel Oxides
Advanced Materials
손창윤6
2021Defect-Controlled, Scalable Layer-by-Layer Assembly of High-k Perovskite Oxide Nanosheets for All Two-Dimensional Nanoelectronics
Chemistry of Materials
이철호17

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교수 1

이철호

논문 4

Defect-Controlled, Scalable Layer-by-Layer Assembly of High-k Perovski · Advances and challenges in 2D semiconductor devices for monolithic 3D · Molecular Engineering of Coordination Ligand for Multifunctional Sol–G · All-Solution-Processed High-Performance MoS2 Thin-Film Transistors wit