Atomic Layer Deposited Gallium Oxide Buffer Layer Enables 1.2 V Open‐Circuit Voltage in Cuprous Oxide Solar Cells
2014 · Advanced Materials
저자
이윤석 (Yun Seog Lee), Danny Chua, Riley E. Brandt, Sin Cheng Siah, Jian V. Li, Jonathan P. Mailoa, Sang Woon Lee, Roy Gerald Gordon, Tonio Buonassisi
연구주제
Copper-based nanomaterials and applications · Thin-Film Transistor Technologies · Chalcogenide Semiconductor Thin Films
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
지원 과제·AI 키워드로 잡을 근거가 없어 분류하지 않았다.
AI 연구 키워드·방법
밴드 정렬 buffer layer 아산화구리 태양전지
키워드 (OpenAlex)
atomic layer deposition open-circuit voltage band alignment interfacial defect passivation power conversion efficiency thin-film solar cells
초록
The power conversion efficiency of solar cells based on copper (I) oxide (Cu2 O) is enhanced by atomic layer deposition of a thin gallium oxide (Ga2 O3 ) layer. By improving band-alignment and passivating interface defects, the device exhibits an open-circuit voltage of 1.20 V and an efficiency of 3.97%, showing potential of over 7% efficiency.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
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교수 1
연구주제 1
Copper-based nanomaterials and applications