Sulfur passivation for the formation of Si-terminated Al2O3/SiGe(0 0 1) interfaces

저자

Kasra Sardashti, Kai-Ting Hu, Kechao Tang, 박상욱 (Sangwook Park), Hyonwoong Kim, Shailesh Kumar Madisetti, Paul C. McIntyre, Serge R Oktyabrsky, Shariq Siddiqui, Bhagawan R. Sahu, N. Yoshida, Jessica S. Kachian, Andrew C. Kummel

연구주제

Semiconductor materials and devices

NTIS 과학기술표준분류

지원 과제·AI 키워드로 잡을 근거가 없어 분류하지 않았다.

AI 연구 키워드·방법

gate oxide interface silicon germanium semiconductor sulfur passivation

키워드 (OpenAlex)

sulfur passivation interface chemical composition leakage current surface cleaning

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음