Atomic Layer Deposited Aluminum Oxide for Interface Passivation of Cu2ZnSn(S,Se)4 Thin‐Film Solar Cells
2016 · Advanced Energy Materials
저자
이윤석 (Yun Seog Lee), Talia Gershon, Teodor K. Todorov, Wei Wang, Mark T. Winkler, Marinus Hopstaken, Oki Gunawan, Jeehwan Kim
연구주제
Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Thin-Film Transistor Technologies · Quantum Dots Synthesis And Properties
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
배정 근거: AI 키워드가 잡은 NTIS 과제의 분류(정책 연계 맵과 같은 방법).
AI 연구 키워드·방법
interface passivation 케스터라이트 태양전지(CZTSSe)
키워드 (OpenAlex)
Cu2ZnSn(S,Se)4 CZTSSe thin-film solar cells atomic layer deposition alumina interface passivation photoluminescence interface quality
초록
Nanometer-scale-thick Al2O3 thin films grown by atomic layer deposition are implemented as an effective interface-passivation strategy for improving Cu2ZnSn(S,Se)4-based thin-film solar cell device performance. Photoluminescence characterization indicates that the enhancement originates from improved interface quality of the solar cell devices.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
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교수 1
연구주제 1
Chalcogenide Semiconductor Thin Films