Growth modulation of atomic layer deposition of HfO 2 by combinations of H 2 O and O 3 reactants
2021 · Dalton Transactions
저자
Byeong Guk Ko, Chi Thang Nguyen, Bonwook Gu, Mohammad Rizwan Khan, Kunwoo Park, Hongjun Oh, 박정원 (Jungwon Park), Bonggeun Shong, Han‐Bo‐Ram Lee
연구주제
Semiconductor materials and devices · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
지원 과제·AI 키워드로 잡을 근거가 없어 분류하지 않았다.
AI 연구 키워드·방법
atomic layer deposition hafnium oxide thin film
키워드 (OpenAlex)
hafnium oxide atomic layer deposition growth modulation ozone water surface termination film properties
초록
O. The film growth behaviors and properties differed when the sequence of exposure of the substrate to the reactants was varied. Based on X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and density functional theory (DFT) simulation, the changes are attributed to the effects of the surface terminations formed from different counter reactant combinations. The knowledge from this work could provide insight for precisely tuning the growth and properties of ALD films.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2021 | 화공분야연구인력양성사업단 | 교육부 | 4단계두뇌한국21사업(R&D) | 서울대학 | – |
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교수 1
연구주제 1
Semiconductor materials and devices