Noise-Robust Online Measurement of the On-State Resistance of the Power Semiconductor Devices in PWM Converters
2024 · IEEE Access
저자
Junho Shin, 신종원 (Jong-Won Shin), Wonhee Kim
연구주제
Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Advanced DC-DC Converters · Multilevel Inverters and Converters
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.
AI 연구 키워드·방법
DC-DC 컨버터 on state resistance measurement power semiconductor device remaining useful life prediction 스위칭 노이즈
키워드 (OpenAlex)
on-resistance power semiconductor devices remaining useful life prediction PWM converter DC-DC converter switching noise inductor current MOSFET degradation
초록
The on-state resistance of power semiconductor devices,RDUT, is used to estimate the remaining useful life (RUL) of the devices. Conventional online measurement ofRDUTinvolves on-state voltage measurement of the on-state device, which is easily polluted by switching noise to limit the measurement accuracy. This paper proposes a new noise-robust method to measure the increment ofRDUTby inductor current and input/output DC voltage of DC-DC converters. The proposed method features higher accuracy in predicting RUL than the conventional one because the inductor current is immune to switching noise. Experimental results showed 99.2% maximum accuracy between the actual and measuredRDUTof sample MOSFETs.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2024 | 카멜레온 무선 에너지 패치 기초연구실 | 과학기술정보통신부 | 집단연구지원 | 중앙대학 | 범위 밖 |
인접 그래프
노드 hover = 이웃 강조 · 1회 클릭 = 고정 · 고정된 노드 다시 클릭 = 페이지 이동
이 문서와 연결된 페이지
교수 1
연구주제 1
Silicon Carbide Semiconductor Technologies