Effect of Pt Seed-Layer Thickness and Annealing on the Interfacial Reaction and Contact Resistivity of p⁺-In0.53Ga0.47As
2025 · Electronic Materials Letters
저자
Jongchan Ryu, Hong-Ju Kim, Young Ho Chu, Seongheon Kim, Yongmin Baek, Taehoon Kim, 이윤석 (Yun Seog Lee)
연구주제
Silicon and Solar Cell Technologies · Semiconductor materials and devices
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
지원 과제·AI 키워드로 잡을 근거가 없어 분류하지 않았다.
AI 연구 키워드·방법
indium gallium arsenide ohmic contact
rapid thermal annealing
키워드 (OpenAlex)
ohmic contacts InGaAs seed layer thickness rapid thermal annealing contact resistivity interfacial reaction Ti/Au contacts tunneling transport
초록
초록 없음
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음
인접 그래프
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