SNUEI

Effect of Pt Seed-Layer Thickness and Annealing on the Interfacial Reaction and Contact Resistivity of p⁺-In0.53Ga0.47As

2025 · Electronic Materials Letters

저자

Jongchan Ryu, Hong-Ju Kim, Young Ho Chu, Seongheon Kim, Yongmin Baek, Taehoon Kim, 이윤석 (Yun Seog Lee)

연구주제

Silicon and Solar Cell Technologies · Semiconductor materials and devices

NTIS 과학기술표준분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

지원 과제·AI 키워드로 잡을 근거가 없어 분류하지 않았다.

AI 연구 키워드·방법

indium gallium arsenide ohmic contact

rapid thermal annealing

키워드 (OpenAlex)

ohmic contacts InGaAs seed layer thickness rapid thermal annealing contact resistivity interfacial reaction Ti/Au contacts tunneling transport

초록

초록 없음

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

NTIS 성과DB(2020–24)에서 DOI 매칭 없음

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교수 1

이윤석