Giant tunneling electroresistance in epitaxial ferroelectric ultrathin films directly integrated on Si

저자

Kyoungjun Lee, Jinho Byun, Kunwoo Park, Sungsu Kang, Myeong Seop Song, 박정원 (Jungwon Park), Jaekwang Lee, Seung Chul Chae

연구주제

Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Semiconductor materials and devices

NTIS 과학기술표준분류

가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체소자 및 시스템)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.

AI 연구 키워드·방법

강유전성 하프늄 산화물 ferroelectric tunnel junction tunneling electroresistance

키워드 (OpenAlex)

ferroelectric tunnel junctions tunneling electroresistance HfO2 thin films epitaxial ferroelectric films silicon integration non-volatile memory on/off current ratio depletion width

초록

이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)

연도	과제	부처	사업	수행기관	NTIS 분류(1순위)
2022	강유전 HfO2의 이종접합 구조에서의 개별 쌍극자 고립성 및 독립 쌍극자 스위칭 동역학 분석을 통한 쌍극자 양자 메모리 기능성 연구	과학기술정보통신부	개인기초연구(과기정통부)	서울대학	범위 밖
2022	혁신융합형 물리인재 교육연구단	교육부	4단계두뇌한국21사업(R&D)	부산대학	–
2022	화공분야연구인력양성사업단	교육부	4단계두뇌한국21사업(R&D)	서울대학	–
2022	단결정형 HfO2 기반 강유전 박막을 이용한 비휘발 FET 단위소자 개발	과학기술정보통신부	차세대지능형반도체기술개발(소자)	서울대학	범위 밖