SNUEI

강유전성 하프늄 산화물 ferroelectric hafnium oxide

키워드 · 정보·전자소자

9연구단 논문
1교수
79억 국가 R&D(2015–24)
소규모증가율
54.71%서울대 비중

도핑과 결정상 제어로 강유전성을 띠게 한 HfO2 박막으로 차세대 메모리에 쓰인다

연도별 연구단 논문

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국가 R&D 과제 동향 (NTIS, 억 원)

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2015–2024 과제 레코드 32건 · 10년 79억 · 2015–19 대비 2020–24 소규모 · 대학 수행 100.0% · 서울대(본교) 54.71%. 매칭: 영문 키워드 'ferroelectric hafnium oxide', 국문 '강유전성하프늄', '하프니아', '강유전체메모리'. 기관운영비·인력양성·출연연 주요사업비 등 과제 아닌 레코드는 뺐다.

매칭 과제의 NTIS 표준분류(1순위, 연구비 비중): 뇌과학 > 뇌공학 47% · 전기/전자 > 반도체 소자·회로 23% · 전기/전자 > 반도체소자 및 시스템 16% · 전기/전자 > 반도체소자/시스템 8%

최근 주요 과제 (2022–2024, 연차 정부연구비 순)

연도과제수행기관부처억
2022수직 적층 인공지능 플랫폼을 위한 신소자 기반 초고집적 적층형 시냅스 어레이 및 CMOS 집적회로서울대학과학기술정보통신부13.5
2022다양한 강유전체 메모리를 활용한 PIM 소자, 구동회로 및 아키텍쳐 개발한양대학과학기술정보통신부7.8
2024고집적 고효율 PIM 구현을 위한 응용 맞춤형 연산 비스포크 소자 개발경북대학과학기술정보통신부1.8
2022스파이킹 뉴럴 네트워크(SNN) 응용을 위한 고신뢰성, 초저전력 하프니아 강유전체 기반 시냅스 소자 개발한국산업기술대학과학기술정보통신부0.9
2023강유전성 하프늄산화물 박막에서 내부 전기장 분포를 고려한 분극 스위칭 동적 특성 연구한양대학과학기술정보통신부0.6
2022강유전체 하프니아 기반 슈퍼스팁 스위칭 소자 메커니즘 규명 및 다중 Vth를 이용한 대면적 멀티레벨 로직 회로 구현포항공과대학교육부0.5
2024에너지 효율과 속도 극대화: AOS-기반 강유전체 메모리 소자의 과도응답 특성 모델링 및 최적화 연구국민대학교육부0.1
2024저전압 거동이 가능한 극박막/저온 열처리 강유전체 메모리용 소재 Hf1-xZrxO2 박막 개발서울대학교육부0.1

교수

교수학과논문2022년 이후
박정원화학생물공학부93

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뉴로모픽 소자

연결되는 NTIS 분류

에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장

없음

논문 (최신순)

연도논문SNUEI 저자피인용
2024Deterministic Orientation Control of Ferroelectric HfO2 Thin Film Growth by a Topotactic Phase Transition of an Oxide Electrode
ACS Nano
박정원9
2024Atomic-Scale Scanning of Domain Network in the Ferroelectric HfO2 Thin Film
ACS Nano
박정원6
2023Selective Crystallization of Ferroelectric HfxZr1–xO2 via Excimer Laser Annealing
ACS Applied Electronic Materials
박정원11
2021Enhanced ferroelectric switching speed of Si-doped HfO2 thin film tailored by oxygen deficiency
Scientific Reports
박정원73
2021Giant tunneling electroresistance in epitaxial ferroelectric ultrathin films directly integrated on Si
Applied Materials Today
박정원28
2020Facile Ferroelectric Phase Transition Driven by Si Doping in HfO 2
Inorganic Chemistry
박정원12
2019Stable Subloop Behavior in Ferroelectric Si-Doped HfO2
ACS Applied Materials & Interfaces
박정원78
2018Ferroelectric Polarization-Switching Dynamics and Wake-Up Effect in Si-Doped HfO2
ACS Applied Materials & Interfaces
박정원137
2018Ferroelectricity in epitaxial Y-doped HfO2 thin film integrated on Si substrate
Applied Physics Letters
박정원58

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교수 1

박정원

논문 9

Ferroelectric Polarization-Switching Dynamics and Wake-Up Effect in Si · Atomic-Scale Scanning of Domain Network in the Ferroelectric HfO2 Thin · Enhanced ferroelectric switching speed of Si-doped HfO2 thin film tail · Stable Subloop Behavior in Ferroelectric Si-Doped HfO2 · Facile Ferroelectric Phase Transition Driven by Si Doping in HfO 2 · Giant tunneling electroresistance in epitaxial ferroelectric ultrathin · Selective Crystallization of Ferroelectric HfxZr1–xO2 via Excimer Lase · Deterministic Orientation Control of Ferroelectric HfO2 Thin Film Grow · Ferroelectricity in epitaxial Y-doped HfO2 thin film integrated on Si