Selective Crystallization of Ferroelectric HfxZr1–xO2 via Excimer Laser Annealing
2023 · ACS Applied Electronic Materials
저자
Myeong Seop Song, Kunwoo Park, Kyoungjun Lee, Jung Woo Cho, Tae Yoon Lee, 박정원 (Jungwon Park), Seung Chul Chae
연구주제
Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Semiconductor materials and devices
NTIS 과학기술표준분류
에너지/자원만에너지·환경·원자력 확장
가장 가까운 분류(전기/전자 > 반도체소자 및 시스템)가 에너지·환경·원자력 확장 범위 밖이다.
AI 연구 키워드·방법
antiferroelectricity 강유전성 하프늄 산화물 laser annealing
키워드 (OpenAlex)
HfZrO2 ferroelectric thin films excimer laser annealing selective crystallization antiferroelectricity polarization-voltage hysteresis phase diagram low-temperature crystallization
초록
Herein, we report the ferroelectricity of Hf x Zr 1– x O 2 (HZO) thin films crystallized via excimer laser annealing at 25 °C under atmospheric conditions. We characterized the structure and antiferroelectric/ferroelectric properties of HZO thin films using X-ray diffraction and standard polarization–voltage hysteresis. The laser-annealed Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 thin film was gradually crystallized with increasing laser pulse number. The HZO thin film series exhibited systemic changes in antiferroelectric/ferroelectric properties with variations in Zr concentration. In addition, we constructed a phase diagram of laser-annealed HZO thin films.
이 논문을 지원한 국가R&D 과제 (NTIS 성과)
| 연도 | 과제 | 부처 | 사업 | 수행기관 | NTIS 분류(1순위) |
|---|---|---|---|---|---|
| 2023 | 강유전 HfO2의 이종접합 구조에서의 개별 쌍극자 고립성 및 독립 쌍극자 스위칭 동역학 분석을 통한 쌍극자 양자 메모리 기능성 연구 | 과학기술정보통신부 | 개인기초연구(과기정통부) | 서울대학 | 범위 밖 |
| 2023 | 화공분야연구인력양성사업단 | 교육부 | 4단계두뇌한국21사업 | 서울대학 | – |
| 2023 | 나노입자의 합성과 의료, 에너지 분야 응용 | 과학기술정보통신부 | 기초과학연구원연구운영비지원(주요사업비) | 기초과학연구원 | – |
| 2022 | 단결정형 HfO2 기반 강유전 박막을 이용한 비휘발 FET 단위소자 개발 | 과학기술정보통신부 | 차세대지능형반도체기술개발(소자) | 서울대학 | 범위 밖 |
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Ferroelectric and Negative Capacitance Devices